RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 3, страницы 631–637 (Mi qe7875)

Эта публикация цитируется в 14 статьях

Оптоэлектроника, приложения лазеров

Селективное отражение от границы стекло – газ при больших углах падения света

А. М. Акульшин, В. Л. Величанский, А. И. Жердев, А. С. Зибров, В. И. Малахова, В. В. Никитин, В. А. Саутенков, Г. Г. Харисов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: На резонансных линиях рубидия и цезия с использованием инжекционных лазеров исследовано селективное отражение от границы раздела прозрачный диэлектрик – поглощающий газ в зависимости от угла падения излучения, его поляризации и концентрации атомов в кювете. При падении излучения на кювету под углом Брюстера наблюдались резонансы селективного отражения на нулевом фоне. Аналитически и экспериментально определены условия наблюдения эффекта селективного ослабленного полного внутреннего отражения (ОПВО). Получен максимальный коэффициент отражения 95 ± 2%, что в 10 раз превышает коэффициент нерезонансного отражения. Спектральная ширина области, где наблюдалось ОПВО, изменялась от 0,1 до 1,5 см – 1 в зависимости от концентрации атомов и угла падения. На основе эффекта ОПВО был сконструирован селективный элемент, позволивший получить узкополосную непрерывную генерацию инжекционного лазера с внешним резонатором. Предложены различные варианты применения эффекта ОПВО в квантовой электронике.

УДК: 621.373.826

PACS: 78.20.Ci, 78.40.Pg, 68.47.-b, 78.68.+m

Поступила в редакцию: 05.10.1987


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, 19:3, 416–419

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024