Аннотация:
На кристалле ИСГГ: Cr, Tm, Ho с ламповой накачкой реализован режим модуляции добротности в моде TEM00 на переходе 5I7→5I8 ионов Но (λ = 2,088 мкм) при комнатной температуре. При энергии накачки 80 Дж и частоте повторения 1 Гц получен гигантский импульс в моде TEM00 с энергией 50 мДж.