RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 4, страницы 672–673 (Mi qe7882)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Лазеры

Генерация гигантского импульса в моде TEM00 (λ = 2,088 мкм) на кристалле ИСГГ: Cr, Tm, Ho с ламповой накачкой

А. Н. Алпатьев, Е. В. Жариков, С. П. Калитин, В. А. Смирнов, А. Ф. Умысков, И. А. Щербаков

Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: На кристалле ИСГГ: Cr, Tm, Ho с ламповой накачкой реализован режим модуляции добротности в моде TEM00 на переходе 5I75I8 ионов Но (λ = 2,088 мкм) при комнатной температуре. При энергии накачки 80 Дж и частоте повторения 1 Гц получен гигантский импульс в моде TEM00 с энергией 50 мДж.

УДК: 621.373.826.038.825.2

PACS: 42.55.Rz, 42.60.By, 42.60.Gd, 42.60.Jf, 42.70.Hj

Поступила в редакцию: 12.07.1988


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, 19:4, 438–439

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024