RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 4, страницы 694–702 (Mi qe7890)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Физические процессы в лазерах и управление параметрами лазерного излучения

О влиянии тушителя на параметры энтальпийного вынужденного рассеяния в йодных фотодиссоционных лазерах

Е. П. Орлов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Проанализировано влияние тушения возбужденного йода на параметры энтальпийного вынужденного рассеяния в йодных фотодиссоционных лазерах и показана возможность повышения устойчивости рабочих смесей этих лазеров к развитию BP на температурных волнах путем подбора соответствующего тушителя и его концентрации.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.55.Ks, 42.60.By, 42.60.Lh, 33.80.Gj, 33.50.Hv, 82.60.-s

Поступила в редакцию: 31.12.1987


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, 19:4, 454–459

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024