RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1996, том 23, номер 9, страницы 849–853 (Mi qe793)

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Изотопическая селективность оптической накачки атомов частотно-контролируемым лазерным излучением

В. Г. Миногин

Институт спектроскопии РАН, г. Троицк

Аннотация: Предложены схемы изотопически-селективной оптической накачки атомов в ориентированные состояния, имеющие определенную проекцию полного углового момента. Показано, что для смеси двух атомных изотопов, изотопические сдвиги линий поглощения которых меньше интервалов сверхтонкой структуры, одновременная оптическая накачка изотопов в состояния с противоположными проекциями полного углового момента позволяет с высокой эффективностью разделить изотопы по разным магнитным состояниям сверхтонкой структуры. Найдено, что для атомных изотопов, оптические спектры поглощения которых перекрыты за счет сверхтонкого расщепления, изотопическая селективность частотно-контролируемой оптической накачки S может составить 1010 — 1018. Приведенные оценки показывают, что селективность пространственного разделения оптически-ориентированных изотопов 137Cs и 133Cs может быть не хуже 1012.

PACS: 32.80.Bx, 28.60.+s, 42.62.Hk

Поступила в редакцию: 01.01.1996


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1996, 26:9, 828–832

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024