RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 10, страницы 2140–2142 (Mi qe7931)

Краткие сообщения

Расчет населенности возбужденных уровней многозарядных ионов Аl в лазерной плазме

В. Н. Быков, А. Х. Пергамент

Институт прикладной математики им. М. В. Келдыша АН СССР, Москва

Аннотация: Исследовано влияние выбора возможных механизмов заселения уровней и выбора различных выражений для скоростей элементарных процессов на распределение по возбужденным уровням и по состояниям ионизации ионов Al. Расчет проведен в рамках столкновительно-излучательной модели (стационарный случай) в приближении оптически тонкой плазмы. Показано, что к перенаселенности первого возбужденного уровня и к нарушению распределения Больцмана на высоковозбужденных уровнях приводит пренебрежение процессами ударного девозбуждения и трехчастичной рекомбинации.

УДК: 518.5:533.9

PACS: 52.25.Jm, 52.20.Hv, 34.50.Fa, 34.10.+x

Поступила в редакцию: 03.12.1984


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1985, 15:10, 1407–1408

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024