RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 10, страницы 2150–2152 (Mi qe7935)

Краткие сообщения

Динамика заселения колебательных уровней молекулы СО в активной среде импульсного электроионизационного СО-лазера

В. И. Долинина, А. И. Кипшакбаев, И. Б. Ковш, С. Ю. Сухоросов, Б. М. Урин


Аннотация: Для типичных условий возбуждения импульсного электроионизационного СО-лазера измерены времена достижения фиксированного уровня ненасыщенного поглощения на различных колебательных переходах молекулы СО. Из сравнения этих времен с расчетными, полученными при варьируемых значениях коротко- и близкодействующей составляющих констант VV-обмена, уточнены значения этих констант.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.55.Ks, 33.80.-b, 33.15.Mt

Поступила в редакцию: 21.01.1985


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1985, 15:10, 1414–1416

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024