Тонкая структура спектра генерации инжекционного лазера и ее связь с многочастотным режимом

С помощью методов регистрации спектров генерации инжекционных лазеров, обладающих высоким спектральным разрешением и широкой полосой обзора (десятки гигагерц), исследована тонкая структура спектра излучения гомолазеров на основе GaAs. В окрестности многочастотного режима в спектре генерации обнаружены особенности – резонансный характер изменения параметров тонкой структуры в области 6 ГГц и наличие нескольких типов сателлитов с различными законами дисперсии.