RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 7, страницы 1582–1584 (Mi qe8008)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Краткие сообщения

Влияние длины волны лазерного излучения на порог плазмообразования при облучении непрозрачных материалов

Е. А. Берченко, А. В. Кошкин, А. П. Соболев, Б. Т. Федюшин


Аннотация: Дан анализ большого числа экспериментальных результатов по порогам плазмообразования при облучении непрозрачных материалов лазерным излучением. Получено эмпирическое уравнение, позволяющее предсказывать момент плазмообразования для широкого диапазона условий облучения. Обсуждаются вопросы о влиянии на процесс «вспышки» длины волны лазерного излучения, а также о точности предсказания момента образования плазмы.

УДК: 621.378.325

PACS: 52.50.Jm

Поступила в редакцию: 11.11.1980


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:7, 953–955

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024