RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1997, том 24, номер 1, страницы 89–92 (Mi qe803)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Cинтез объемных материалов системы SiO2:MxOy в стационарном лазерном факеле

В. Ф. Лебедев

Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Проанализированы условия существования в атмосферном воздухе двухкомпонентного стационарного лазерного факела для одностадийного синтеза объемных проплавленных материалов в системе SiO2:MxOy. Рассматриваются мишени SiO2:M (металлическая фольга и стержень из кварцевого стекла) и легирующие элементы с температурами кипения меньше и больше температуры кипения кварцевого стекла. Обсуждаются режимы и эффективность стационарного переноса легирующих элементов. Эффективность переноса окислов металлов при выращивании образцов с использованием непрерывного СО2-лазера составила ~0.05, 0.4 и 0.75 г/мин.кВт при массовой степени легирования ~8, 20 и 60% соответственно для окислов Ti, Cu и Ni.

PACS: 42.70.Ce, 42.62.Cf, 81.20.Zx

Поступила в редакцию: 07.06.1995


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1997, 27:1, 86–89

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024