RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 8, страницы 1771–1775 (Mi qe8047)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Применение диодного лазера с внешним резонатором в спектроскопии высокого разрешения

З. Раабab, К. Гоффманab, М. Габбертab, М. В. Глушковab, Ю. В. Косичкинab

a Центральный институт оптики и спектроскопии АН ГДР, Берлин
b Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: С помощью диодного лазера на основе GaAs с внешним перестраиваемым частотно-селективным резонатором была зарегистрирована сверхтонкая структура D2-линии цезия. Впервые продемонстрирована возможность применения диодного лазера с внешним резонатором для внутрирезонаторной спектроскопии. Исследована люминесценция паров цезия при резонансном лазерном возбуждении.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 07.65.Eh, 32.50.+d, 42.60.Kg, 35.10.Fk

Поступила в редакцию: 27.06.1980
Исправленный вариант: 23.12.1980


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:8, 1068–1071

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024