RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 12, страницы 2442–2450 (Mi qe8073)

Эта публикация цитируется в 13 статьях

Исследование динамики образования возбужденных атомов, ионов и эксимерных молекул в плазме электроразрядного ХеСl-лазера

В. Э. Пеэт, А. Б. Трещалов

Институт физики АН ЭССР,Тарту

Аннотация: Плазма электроразрядного XeCl-лазера исследовалась методом абсорбционного зондирования импульсным перестраиваемым лазером на красителях. Длительность импульса зондирования 7 нс, полуширина линии генерации 15 пм. Система синхронизации позволяла перемещать зондирующий импульс во времени относительно разряда с точностью 3 нс. Измерены спектры поглощения для смеси Не:Хе:НСl = 550:8:1, p = 2,2 атм в области 335–610 нм и временные зависимости абсолютной концентрации Xe*, He*, Xe+*, Cl. Обсуждается динамика заселения возбужденных атомов и ионов. Методом усиления слабого сигнала измерен временной ход абсолютной концентрации эксимерных молекул XeCl*. Показано, что в начальной стадии разряда доминирующим каналом образования XeCl* является гарпунная реакция, а на последующих стадиях основной становится ион-ионная рекомбинация.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.55.Lt, 52.50.Jm, 52.70.Ds, 52.25.Os, 52.80.-s

Поступила в редакцию: 12.10.1984


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1985, 15:12, 1613–1619

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024