RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1985, том 12, номер 12, страницы 2498–2501 (Mi qe8096)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Краткие сообщения

Особенности использования импульсных УФ лазеров в фотолитографии

А. Л. Богданов, К. А. Валиев, Л. В. Великов, Д. Ю. Зарослов, А. П. Захаров, A. М. Прохоров

Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: Отмечены особенности применения импульсных УФ лазеров в фотолитографии, такие как высокая импульсная мощность и монохроматичность лазерного излучения. Изложены результаты экспериментальных исследований фотолитографического процесса при использовании импульсного азотного лазера с λ = 337 нм. В фоторезисте ФП-617 получены структуры размерами 1,2–1,3 λ.

УДК: 621.3.049.77.022:621.373.826

PACS: 42.55.Lt, 42.60.Jf, 42.82.Cr

Поступила в редакцию: 14.03.1985


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1985, 15:12, 1654–1656

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024