RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 5, страницы 1057–1060 (Mi qe8101)

Оптоэлектроника, взаимодействие излучения с веществом и другие вопросы квантовой электроники

Пикосекундное оптоэлектронное переключение при помощи полупроводникового инжекционного лазера

А. Галванаускас, Ф. Вайтекунас, А. Кроткус, К. Суткус

Институт физики полупроводников АН ЛитССР, Вильнюс

Аннотация: Предложен метод для измерения длительности импульса полупроводникового лазера, а также длительности фронта электрического сигнала, формируемого этим импульсом при помощи двойного оптоэлектронного затвора. Измеренная этим методом длительность лазерного импульса составляет 18 пс, а длительность переднего фронта электрического сигнала 20 пс.

УДК: 621.383.062.8

PACS: 42.55.Px, 85.60.Bt, 42.79.Ta, 42.65.Pc, 42.65.Re

Поступила в редакцию: 29.06.1988


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, 19:5, 686–687

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024