RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 6, страницы 1138–1140 (Mi qe8122)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Лазеры

Генерация на кристаллах Y3Al5O12:Er3+ (λ = 2,94 мкм) при селективном возбуждении на нижний лазерный уровень

В. И. Жеков, В. А. Лобачев, Т. М. Мурина, А. В. Попов, A. М. Прохоров, М. И. Студеникин

Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: Получена генерация на кристаллах Y1,5Er1,5Al5O12 (λ = 2,94 мкм) при селективной накачке в электронно-колебательное крыло перехода 4I15/24I13/2. Показано, что инверсия населенности в YAG:Er3+-лазере осуществляется за счет эффективного взаимодействия возбужденных ионов Er3+ на уровне 4I13/2 и переноса энергии с нижнего лазерного уровня на верхний по схеме 4I13/24I9/2, 4I13/24I15/2.

УДК: 621.373.826.038.825.7

PACS: 42.55.Rz, 42.70.Hj, 71.15.Qe

Поступила в редакцию: 15.09.1988


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, 19:6, 737–738

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024