RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 6, страницы 1154–1157 (Mi qe8128)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Лазеры

Фотодиссоционный XeF-лазер видимого и УФ диапазонов с накачкой излучением секционированного поверхностного разряда

В. С. Зуев, Г. Н. Кашников, В. В. Кириленко, С. Б. Мамаев, В. А. Сорокин, В. Ф. Сухоруков


Аннотация: Проведены испытания XeF-лазера с активной длиной ~170 см и выходной апертурой 12 X 20 см. Источник оптической накачки представлял собой одноканальный секционированный электрический разряд по поверхности полиэтилена со средней за полупериод плотностью вкладываемой мощности dP / dx ~ 41,6 МВт/см. Энергия генерации лазера на переходе B–X (λ ≈ 351 нм) достигала 70 Дж, а в видимом диапазоне на переходе C–Aср = 480 нм) – 98 Дж.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.55.Lt, 52.80.-s, 42.60.Jf, 42.79.Bh

Поступила в редакцию: 03.02.1989


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, 19:6, 748–750

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024