RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 6, страницы 1190–1197 (Mi qe8168)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Физические процессы в лазерах

Динамика населенности эксимерных состояний в активной среде лазера на Xel

Н. Н. Устиновский, И. В. Холин

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Методом абсорбционного зондирования исследована динамика населенности нижних эксимерных состояний 1.3u+ молекулы Xe2* в активной среде мощного Ar–Хе-лазера высокого давления на переходах 5d–6р атома Xe. Впервые в прямом эксперименте показано, что при электроионизационном возбуждении накачка верхних лазерных уровней в разряде осуществляется не из основного, а из возбужденных состояний рабочего газа. Впервые экспериментально зарегистрирован эффект накопления суммы возбужденных и ионизированных состояний Хе в плазме разряда.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.55.Lt, 42.60.By, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 21.04.1988


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, 19:6, 769–774

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024