Управление частотой лазера на красителе голографической решеткой на основе системы полупроводник – металл

Измерены КПД преобразования (22 %) , полуширина линии излучения (менее 0,1 нм) и уровень суперлюминесценции (0,2 %) лазера скользящего падения, управление частотой излучения которого осуществляется голографической решеткой на основе системы полупроводник–металл. Показано, что по своим параметрам он не уступает аналогичным лазерам с голографической решеткой на основе органических фоторезистов.