RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 9, страницы 1935–1944 (Mi qe8226)

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Влияние температуры и уровня оптической мощности на наведенное поглощение в стеклянных волоконных световодах на основе чистого кварцевого стекла

Е. М. Диановab, Л. С. Корниенкоab, А. О. Рыбалтовскийab, П. В. Черновab

a Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
b Научной-исследовательский институт ядерной физики Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова

Аннотация: Исследовано влияние температуры и уровня оптической мощности на величину наведенного поглощения (НП) в стеклянных волоконных световодах на основе чистого кварцевого стекла. Показано, что ввод в световод дополнительного обесцвечивающего излучения с мощностью ~10–6 Вт снижает уровень наведенного погощения в десятки раз. Обнаружены ранее неизвестные полосы НП кварцевых стекол, исследовано их фото- и термообесцвечивание.

УДК: 535.8.666.189.2+666.11:621.039.533

PACS: 42.80.Mv

Поступила в редакцию: 11.02.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:9, 1171–1177

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024