RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 10, страницы 2127–2129 (Mi qe8273)

Эта публикация цитируется в 15 статьях

Краткие сообщения

Генерация ионов гольмия на переходе5I75I8 при комнатной температуре в кристалле иттрий-скандий-галлиевого граната с ионами хрома, тулия и гольмия

А. Н. Алпатьев, Е. В. Жариков, С. П. Калитин, В. В. Лаптев, В. В. Осико, В. Г. Остроумов, A. М. Прохоров, З. С. Саидов, В. А. Смирнов, И. Т. Сорокина, А. Ф. Умысков, И. А. Щербаков

Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: На кристалле иттрий-скандий-галлиевого граната, активированного ионами хрома, тулия, гольмия, реализована схема активной среды с разделением функций различных типов рабочих частиц. На переходе 5I75I8 ионов Ho3+ при комнатной температуре получена генерация с выходной энергией 4 Дж.

УДК: 621.373.826.038.825.2

PACS: 42.55.Rz, 42.60.Jf, 42.60.Gd

Поступила в редакцию: 17.12.1985


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, 16:10, 1404–1405

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024