RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 11, страницы 2216–2220 (Mi qe8305)

Эта публикация цитируется в 1 статье

О спектре генерации XeCl-лазера

В. А. Адамович, В. Ю. Баранов, В. В. Лиханский, Д. Д. Малюта, А. П. Напартович, Ю. Б. Смаковский, А. П. Стрельцов

Институт атомной энергии им. И. В. Курчатова, Москва

Аннотация: Обсуждаются причины, обуславливающие ширину спектра генерации $XeCl$-лазера. Показано, что при высоких внутрирезонаторных интенсивностях ($\gtrsim 10$ МВт/см$^2$) ширина спектра определяется деформацией контура усиления вблизи максимума из-за слабого насыщения скорости вращательного обмена. При значительных энерговкладах ($>0,2$ Дж/см$^3$) нагрев среды в течение импульса накачки приводит к смещению максимума коэффициента усиления, что также уширяет спектр при интегральной (по времени) регистрации. Приводимые экспериментальные данные хорошо согласуются с предложенной аналитической моделью.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.55.Lt, 42.60.Jf, 42.60.Da, 33.15.Mt

Поступила в редакцию: 22.08.1985


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, 16:11, 1463–1466

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024