RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 9, страницы 1992–1994 (Mi qe8308)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Краткие сообщения

О возможности создания эксимерных лазеров с ионизацией внешним источником малой мощности

А. Ю. Александров, Н. Г. Басов, В. А. Данилычев, О. М. Керимов, А. И. Миланич

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Предложен способ накачки эксимерных лазеров, основанный на накоплении отрицательных ионов, и выполнены модельные эксперименты с использованием электронного пучка в качестве внешнего ионизатора. Генерация на переходах эксимера XeF (λ = 353 нм) наблюдалась при минимальной концентрации отрицательных ионов ~1011 см–3.

УДК: 621.375.8

PACS: 42.55.Hq

Поступила в редакцию: 06.05.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:9, 1206–1207

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024