RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 9, страницы 1994–1996 (Mi qe8309)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Краткие сообщения

О модовом составе излучения мезаполосковыx GalnPAs/InP гетеролазеров, зарощенных InP или GalnPAs

В. В. Безотосный, Л. М. Долгинов, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко, Г. В. Шепекина

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Экспериментально изучено влияние материала, используемого для заращивания мезаполосковых лазерных гетероструктур на основе GalnPAs/InP, работающих в диапазоне длин волн 1,3 мкм, на порядок поперечных мод лазерного излучения. Использовалось заращивание InP или GalnPAs (с шириной запрещенной зоны 1,17 эВ). Получено, что максимальная одномодовая ширина области излучения увеличивается от 3 мкм в первом случае до ~9 мкм во втором (при толщине активного слоя 0,25 мкм). Получена генерация на вытекающей моде в «антиволноводной» полосковой структуре при толщине 0,13 мкм. Обсуждаются особенности заращивания четверным твердым раствором.

УДК: 621.378.3

PACS: 42.55.Px, 73.40.Lq

Поступила в редакцию: 14.05.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:9, 1208–1209

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024