RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 9, страницы 2011–2013 (Mi qe8330)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Краткие сообщения

Просветление кристаллов LiF с центрами окраски лазерном излучением

Ю. М. Айвазян, Л. В. Казанджян, А. Н. Колеров, Б. В. Мелкумян, С. Т. Паринов, В. М. Руссов, Р. Н. Федоров

Всесоюзный научно-исследовательский институт физико-технических и радиотехнических измерений, Москва

Аннотация: Экспериментально изучено насыщение поглощения лазерного излучения с $\lambda$ = 1,06 мкм кристаллом LiF с центрами окраски. Полученные результаты интерпретированы в двухуровневом приближении. Развита методика определения плотности центров. Для поперечного сечения возбуждения $F_2^-$-центров и порога насыщения получены оценки сечения вынужденного перехода между уровнями (6$\cdot10^{-19}$ см$^2$) и порога нелинейного поглощения (0,15 Дж/см$^2$).

УДК: 621.378.325

PACS: 61.70.Dx, 42.60.He

Поступила в редакцию: 23.09.1980


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:9, 1220–1221

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024