Институт атомной энергии им. И. В. Курчатова, Москва
Аннотация:
В приближении бесконечно узкой зоны реакции исследована одномерная модель распространения фронта экзотермической реакции при дополнительном нагреве вещества излучением лазера. Найдены стационарные решения и определены области их устойчивости на плоскости параметров скорость движения лазера – теплота реакции. Результаты аналитического исследования сравниваются с результатами численного решения уравнений для температуры и концентрации реагирующего вещества при параметрах, соответствующих как стационарным, так и колебательным режимам распространения фронта реакции. Обсуждается применение полученных результатов для описания неустойчивости при лазерной резке материалов и лазерной кристаллизации тонких аморфных полупроводниковых пленок.