Н. А. Иванов, Е. Д. Исянова, Ф. В. Карпушко, Б. Д. Лобанов, Н. Т. Максимова, А. М. Проворов, Н. А. Саскевич, Г. В. Синицын, В. М. Хулугуров, А. Г. Шнейдер, А. С. Ясюкевич, “Лазер с ламповой накачкой на кристалле LiF со стабильными F2+-центрами окраски”, Квантовая электроника, 13:11 (1986), 2328

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Краткие сообщения

Лазер с ламповой накачкой на кристалле LiF со стабильными F₂⁺-центрами окраски

Н. А. Иванов, Е. Д. Исянова, Ф. В. Карпушко, Б. Д. Лобанов, Н. Т. Максимова, А. М. Проворов, Н. А. Саскевич, Г. В. Синицын, В. М. Хулугуров, А. Г. Шнейдер, А. С. Ясюкевич

Институт физики АН БССР, Минск

Аннотация: Впервые излучением импульсных ламп возбуждена генерация в лазере на кристалле LiF со стабильными F₂⁺-центрами окраски. Для двух типов кристаллов, различающихся технологией выращивания и методом окрашивания, пороги генерации составили ~80 Дж, максимальные энергии импульса генерации ~10 мДж, длительности импульса 12мкс; диапазоны перестройки длины волны были 0,89–1,03 и 0,90–0,99мкм. После тысячи импульсов эффективность генерации практически не изменилась.

УДК: 621.373.826.038.825.2

PACS: 42.55.Rz, 42.60.By, 42.70.Hj, 42.60.Lh, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 17.02.1986