RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 11, страницы 2347–2348 (Mi qe8367)

Эта публикация цитируется в 15 статьях

Краткие сообщения

Применение кристаллов ГСГГ–Cr, Nd с фотохромными центрами в качестве активных элементов твердотельных лазеров

Е. В. Жариков, А. М. Забазнов, A. М. Прохоров, А. П. Шкадаревич, И. А. Щербаков

Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: В кристаллах ГСГГ–Cr, Nd для малых энергий накачки оптимизировано поглощение фототропных центров и создан самомодулирующийся лазер, работающий с КПД 1 % при частоте повторения импульсов 25 Гц и накачке 6 Дж/имп. Энергия импульса генерации 65 мДж, длительность 20 нс. Измерен коэффициент усиления кристаллов ГСГГ–Cr, Nd с фототропными центрами, получена эффективная генерация на переходе 4F3/24I13/2(λ = 1,32 мкм), сделан вывод о перспективности применения распределенных фототропных потерь в кристалле ГСГГ–Cr, Nd для подавления паразитных вынужденных переходов.

УДК: 621.373.826.038.825.2

PACS: 42.55.Rz, 42.70.Hj, 42.60.Gd, 42.60.Lh, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 05.03.1986


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, 16:11, 1552–1554

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024