В. М. Андреев, Ю. А. Быковский, Е. Н. Вигдорович, А. В. Маковкин, В. Л. Оплеснин, Л. Ф. Плавич, В. Л. Смирнов, А. В. Шмалько, “Планарные волноводы на основе эпитаксиальных слоев GaAsP и GaN для целей интегральной оптики”, Квантовая электроника, 5:1 (1978), 135

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Краткие сообщения

Планарные волноводы на основе эпитаксиальных слоев GaAsP и GaN для целей интегральной оптики

В. М. Андреев, Ю. А. Быковский, Е. Н. Вигдорович, А. В. Маковкин, В. Л. Оплеснин, Л. Ф. Плавич, В. Л. Смирнов, А. В. Шмалько

Московский инженерно-физический институт

Аннотация: Исследованы основные параметры тонкопленочных оптических волноводов на основе эпитаксиальных монокристаллических слоев GaAs_1–xP_x и GaN, определены потери в них для различных длин волн и рассмотрены возможности их использования в интегральной оптике.

УДК: 621.373.826:621.396

PACS: 42.80.Lt

Поступила в редакцию: 19.04.1977