Влияние поверхностной рекомбинации на порог генерации полупроводниковых лазеров

Для полупроводниковых лазеров, возбуждаемых электронным пучком, исследуется влияние диффузии и поверхностной рекомбинации на пространственное распределение неравновесных носителей по глубине и коэффициент усиления света. Для продольной и поперечной электронной накачек найдены зависимости порогового тока от длины диффузии, скорости поверхностной рекомбинации и величины «мертвого» слоя.