Влияние γ-облучения на коэффициент поглощения щелочногалоидных кристаллов на длине волны излучения CO2-лазера

Для установления связи между появлением центров окраски и ростом объемного поглощения (α) при 10,6 мкм в γ-облученных кристаллах NaCl и КСl изучалось влияние термической и фотометрической обработки на спектры УФ, видимого и ИК поглощения. Предполагается, что наличие одиночных электронных и дырочных центров окраски, а также дислокационных междоузельных петель не сказывается на величине α, тогда как сложные F-агрегатные центры и коллоиды щелочного металла могут увеличивать значение α.