RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 12, страницы 2455–2459 (Mi qe8508)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Оптические характеристики устройств со связанными волноводами на основе полупроводниковых гетероструктур

А. В. Гершойг, О. М. Грудин, М. Н. Заргарьянц, М. А. Панченко


Аннотация: Рассматриваются закономерности распространения оптического излучения в полупроводниковой гетероструктуре со связанными волноводами при наличии в них усиления или поглощения. Развит метод расчета передаточных функций, описывающих работу ряда приборов (оптического усилителя, фотоприемника, лазера) на основе подобных структур. Оценено влияние разброса параметров волноводных слоев на рабочие характеристики рассматриваемых приборов.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.79.Gn, 42.55.Px, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 08.10.1985
Исправленный вариант: 05.05.1986


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, 16:12, 1621–1624

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024