RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1996, том 23, номер 11, страницы 991–994 (Mi qe851)

Лазеры

Параметр насыщения и мощность излучения в аргоновом лазере

А. А. Аполонский

Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Исследования аргонового лазера с широкоапертурной разрядной трубкой позволили сделать вывод о том, что к известным причинам насыщения мощности генерации следует добавить еще одну — насыщение тушения верхнего рабочего уровня. Зависимости мощности излучения и параметра насыщения от давления газа на линии 488 нм отличаются от аналогичных зависимостей для линии 514 нм, что свидетельствует о том, что электронное тушение не является единственным для рабочих уровней возбужденного иона в плазме аргонового лазера.

PACS: 42.55.Lt, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 01.01.1996


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1996, 26:11, 966–969

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024