RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 12, страницы 2491–2496 (Mi qe8516)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Особенности генерации активных сред на основе кристаллов NaF–Me2+ с F2+-подобными центрами

Н. А. Иванов, В. Д. Лохныгин, А. А. Фомичев, В. М. Хулугуров

Научно-исследовательский институт прикладной физики при Иркутском государственном университете им. А. А. Жданова

Аннотация: В кристаллах NaF с примесями двухвалентных металлов Са, Mg или Mn обнаружены F-агрегатные центры, представляющие собой F2-центры рядом с примесно-вакансионным диполем Me2+-υc. Возбуждение лазерным излучением в полосе их поглощения приводит к их ионизации с образованием F2+(Me)-центров. Реализована эффективная перестраиваемая в пределах полосы люминесценции F2+(Me)-центров генерация. При этом создание и возбуждение F2+(Ме)-центров осуществляется излучением одной и той же длины волны (λ = 659 нм). Исследованы особенности генерации такого лазера.

УДК: 621.373.826.038.825.2

PACS: 42.55.Rz, 42.60.By, 42.60.Lh, 42.60.Fc, 42.60.Jf, 42.70.Hj

Поступила в редакцию: 21.10.1985


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, 16:12, 1645–1648

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024