RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1986, том 13, номер 12, страницы 2529–2531 (Mi qe8532)

Краткие сообщения

Исследование деградации отпаянных полупроводниковых лазеров с электронной накачкой

А. А. Буров, Е. М. Красавина, И. В. Крюкова, Г. В. Родиченко


Аннотация: Исследованы причины деградации активных элементов отпаянных полупроводниковых GaAs-лазеров с поперечной накачкой импульсным электронным пучком. Показано, что после испытаний приборов в режиме рабочих параметров накачки в течение 5·106 импульсов основным фактором, снижающим выходную мощность излучения, является световое саморазрушение отдельных участков кристалла из-за неоднородности накачки. В режиме ускоренных испытаний с частотой 3 кГц при числе импульсов до 5·107 происходит усталостное разрушение активной области кристалла при циклическом воздействии электронного луча и собственного лазерного излучения.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.88.+h, 42.70.Hj, 42.60.Da

Поступила в редакцию: 14.03.1986


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1986, 16:12, 1672–1674

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024