Ф. В. Бункин, В. И. Держиев, Е. Л. Латуш, И. И. Муравьев, М. Ф. Сэм, Г. Д. Чеботарев, С. И. Яковленко, А. М. Янчарина, “Инверсия и генерация на переходе NeI λ= 585,3 нм в разрядах с «жесткой составляющей»”, Квантовая электроника, 13:12 (1986), 2531

Эта публикация цитируется в 1 статье

Краткие сообщения

Инверсия и генерация на переходе NeI λ= 585,3 нм в разрядах с «жесткой составляющей»

Ф. В. Бункин, В. И. Держиев, Е. Л. Латуш, И. И. Муравьев, М. Ф. Сэм, Г. Д. Чеботарев, С. И. Яковленко, А. М. Янчарина

Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: Исследованы механизмы формирования инверсии населенностей уровней Nel за счет пеннинговских столкновений с Ar и H₂ в разряде пучкового типа с сетчатым анодом. Получена генерация в смеси Ne–H₂ в разряде с полым катодом.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.55.Lt, 52.80.Hc, 42.60.Jf, 42.60.Da, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 17.03.1986