Безрезонаторная оптическая бистабильность в тонкой пленке полупроводника при возбуждении экситонов и биэкситонов

Теоретически изучено нелинейное стационарное пропускание резонансного лазерного излучения тонкой пленкой полупроводника в условиях двухимпульсного возбуждения экситонов и биэкситонов. Найдены уравнения состояния, описывающие бистабильное поведение выходных амплитуд и концентраций квазичастиц в зависимости от параметров возбуждающих полей. Определены критерии существования оптической бистабильности.