RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1996, том 23, номер 11, страницы 1020–1024 (Mi qe858)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Свободный разлет лазерной плазмы низкой плотности

В. В. Савельев, С. И. Яковленко

Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Рассмотрен разлет лазерной плазмы, получаемой путем многоступенчатой селективной ионизации паров металла при лазерном разделении изотопов в атомном паре (atomic vapor laser isotop separation (AVLIS)). Основной особенностью такой плазмы является то, что длина свободного пробега частиц в ней много больше, а дебаевский радиус — много меньше поперечных размеров области ионизации. На основе численного решения уравнений двухжидкостной гидродинамики показано, что при установившемся разлете среднемассовая скорость равна примерно половине наиболее вероятной скорости частиц с температурой электронов и массой ионов; разлет плазмы устанавливается за время, примерно в полтора раза превышающее время пролета начального поперечного размера с установившейся скоростью разлета. Это позволяет рассчитывать на эффективную экстракцию ионов за счет свободного разлета при лазерном разделении изотопов методом AVLIS.

PACS: 52.25.Fi, 52.50.Jm, 28.60.+s, 42.62.Cf

Поступила в редакцию: 01.01.1996


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1996, 26:11, 994–998

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024