RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 11, страницы 2293–2320 (Mi qe8617)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Спонтанное и вынужденное γ-излучение релятивистских заряженных каналированных частиц (обзор)

Н. П. Калашников, М. Н. Стриханов

Московский инженерно-физический институт

Аннотация: Анализируется современное состояние исследований γ-излучения каналированных релятивистских заряженных частиц в монокристаллах. Показано, что спектрально-угловое распределение излучения каналированных частиц существенно отличается от известного когерентного тормозного излучения в кристаллах и возникает вследствие радиационных переходов частицы между различными уровнями (зонами) поперечного движения. Показано, что, увеличивая энергию падающей частицы, можно получить излучаемую частоту в рентгеновском и γ-диапазонах вследствие эффекта Доплера. Обсуждаются возможные способы усиления γ-излучения в кристалле. Анализируется вынужденное излучение и приводится значение пороговой плотности тока частиц для возникновения режима генерации.

УДК: 537.311.33+539.16.04

PACS: 61.80.Mk, 78.45.+h

Поступила в редакцию: 19.05.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:11, 1405–1421

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024