RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 11, страницы 2408–2417 (Mi qe8630)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Лазеры на АИГ : Nd со светодиодной накачкой

В. И. Билак, И. С. Голдобин, Г. М. Зверев, И. И. Куратев, В. А. Пашков, М. Ф. Стельмах, Ю. В. Цветков, Н. М. Соловьева


Аннотация: Приводятся результаты теоретических и экспериментальных исследований лазера на АИГ : Nd с накачкой светодиодами, работающего при комнатной температуре. Исследуются генерационные характеристики лазера при работе на длинах волн 1,06 и 1,32 мкм в непрерывном и импульсном режимах, зависимость его параметров от температуры, частоты повторения импульсов и т. д. В импульсном режиме КПД лазера составлял 0,2 %, в непрерывном режиме мощность излучения достигала 50 и 17 мВт на длинах волн 1,06 и 1,32 мкм соответственно.

УДК: 621.378.325

PACS: 42.55.Rz

Поступила в редакцию: 12.02.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:11, 1471–1476

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024