Н. С. Ковалева, А. О. Иванов, Э. П. Дубровина, “Связь образования радиационных центров окраски с ростовыми дефектами в кристаллах ИАГ : Nd”, Квантовая электроника, 8:11 (1981), 2433

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Связь образования радиационных центров окраски с ростовыми дефектами в кристаллах ИАГ : Nd

Н. С. Ковалева, А. О. Иванов, Э. П. Дубровина

Аннотация: Изучены спектральные характеристики радиационно окрашенных кристаллов ИАГ : Nd, выращенных методом Чохральского. Идентифицированы некоторые ростовые дефекты (РД), проявляющиеся в спектрах поглощения и люминесценции. Установлено образование в кристаллах ИАГ : Nd нескольких типов радиационных центров окраски (РЦО). Выявлена корреляция РЦО с РД.

УДК: 548.4:535.34

PACS: 61.70.Dx, 78.40.Ha, 78.55.Hx

Поступила в редакцию: 06.06.1980
Исправленный вариант: 13.02.1981