RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1981, том 8, номер 11, страницы 2447–2453 (Mi qe8635)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Некоторые закономерности в спектрах обращенного комбинационного рассеяния

И. И. Кондиленко, Н. Е. Корниенко, В. И. Малый, Г. В. Понежа

Киевский государственный университет им. Т. Г. Шевченко

Аннотация: Теоретически и экспериментально исследована форма линии обращенного комбинационного рассеяния (ОКР) в широком диапазоне интенсивностей накачки. Получены аналитические выражения для спектральной плотности интенсивности стоксовой и антистоксовой волн. Показано, что линия ОКР формируется в результате сложного переплетения комбинационных и параметрических процессов. При определенной величине интенсивности накачки на фоне линии ОКР появляется максимум, имеющий вначале интерференционную природу. При значительном превышении порога ВКР максимум фактически переходит в антистоксову линию ВКР. Установлено, что антистоксова линия ВКР не препятствует наблюдению ОКР на том же самом комбинационно-активном переходе. Экспериментальные исследования проводились по двух и однокюветной схемам коллинеарного ОКР для линии 992 см–1 бензола. Полученные данные качественно согласуются с теорией.

УДК: 535.375

PACS: 78.30.Cp

Поступила в редакцию: 19.02.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1981, 11:11, 1494–1497

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024