Об охлаждении полупроводников лазерным излучением

Развита модель, описывающая охлаждение полупроводникового образца лазерным излучением. Наряду с вынужденными межзонными переходами учтены спонтанная излучательная и безызлучательная рекомбинации носителей, поглощение излучения свободными носителями, перепоглощение спонтанно испущенных фотонов в объеме охлаждаемого образца, насыщение коэффициента поглощения. Оценены оптимальная интенсивность лазерного излучения и минимально достижимая температура носителей в охлаждаемом образце.