И. В. Акимова, П. Г. Елисеев, М. А. Осинский, П. Перлин, “Спонтанное излучение квантоворазмерной гетероструктуры GaN/InGaN/AlGaN при большом токе накачки”, Квантовая электроника, 23:12 (1996), 1069

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Лазеры

Спонтанное излучение квантоворазмерной гетероструктуры GaN/InGaN/AlGaN при большом токе накачки

И. В. Акимова^a, П. Г. Елисеев^a, М. А. Осинский^b, П. Перлин^b

^a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
^b University of New Mexico, USA

Аннотация: Изучены спектры электролюминесценции структуры с квантовой ямой In_xGa_1–xN (толщина 3 нм) при импульсном токе накачки до 4 кА/см², T = 77 и 300 К. Установлено наличие значительного спектрального уширения нетепловой природы ΔE = 150 — 200 мэВ). Даны предварительные результаты по стабильности излучающей структуры в режиме больших импульсов тока накачки.

PACS: 85.60.Jb, 85.30.Vw, 78.60.Fi

Поступила в редакцию: 01.01.1996