С. Б. Миров, П. П. Пашинин, В. С. Сидорин, Е. И. Шкловский, “Получение предельно высоких концентраций F2-ЦО в кристаллах фторида лития с помощью лазерно-плазменного источника мягкого рентгеновского излучения”, Квантовая электроника, 16:8 (1989), 1646

Взаимодействие лазерного излучения с веществом

Получение предельно высоких концентраций F₂-ЦО в кристаллах фторида лития с помощью лазерно-плазменного источника мягкого рентгеновского излучения

С. Б. Миров, П. П. Пашинин, В. С. Сидорин, Е. И. Шкловский

Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: Предложен новый метод окрашивания кристаллов LIF низкоэнергетичными квантами мягкого рентгеновского излучения. Получены кристаллы LiF с концентрациями F₂-ЦО до 10¹⁹ см ^– 3 и толщиной окрашенной области 4 мкм.

УДК: 621.373.826.038.825

PACS: 42.70.Hj, 61.72.Ji, 61.72.Ss, 61.80.Cb, 52.50.Dg

Поступила в редакцию: 05.11.1988