RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 1, страницы 92–97 (Mi qe8688)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Применение лазеров на центрах окраски в щелочно-галоидных кристаллах для внутрирезонаторной лазерной спектроскопии

В. М. Баев, В. Ф. Гамалий, Б. Д. Лобанов, Е. Ф. Мартынович, Э. А. Свириденков, А. Ф. Сучков, В. М. Хулугуров

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Получена генерация на F2+-центрах в LiF, стабилизированных примесью ОН при накачке светом рубинового лазера в режиме свободной генерации. Спектральная область генерации оказалась равной 0,84–1,13 мкм. В неселективном резонаторе методом внутрирезонаторной лазерной спектроскопии (ВЛС) получен спектр поглощения атмосферного воздуха в области 0,9–0,98 мкм. Чувствительность определялась длительностью импульсов накачки 1 мкс и составила 3·10–5см–1. В этой же спектральной области получены спектры поглощения C2H2, CH3OH и CH4. Показана перспективность применения лазеров на центрах окраски в щелочногалоидных кристаллах в методе ВЛС.

УДК: 535.341:535.853.621.32

PACS: 42.55.Rz, 07.65.Gj

Поступила в редакцию: 28.05.1978


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, 9:1, 51–54


© МИАН, 2024