RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 1, страницы 189–196 (Mi qe8704)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

О механизме генерации в лазерных экранах, выполненных из полупроводниковых соединений AIIBVI

В. И. Козловский, А. С. Насибов, А. Н. Печенов, Ю. М. Попов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: В диапазоне 80–300 K исследованы характеристики лазерных экранов (ЛЭ) электронно-лучевых трубок, выполненных из полупроводниковых соединений AIIBVI. На основе спектральных характеристик спонтанного и вынужденного излучения и пороговых характеристик делается заключение, что в ЛЭ в диапазоне 80–300 K вынужденное излучение и генерация происходят в результате излучательной рекомбинации вырожденной электронно-дырочной плазмы.

УДК: 621.375.038.825

PACS: 42.55.Px

Поступила в редакцию: 13.03.1978


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, 9:1, 104–108


© МИАН, 2024