RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1996, том 23, номер 12, страницы 1077–1080 (Mi qe871)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Активные среды

Возбуждение состояния $B^2\Sigma_{1/2}^+$ молекул HgBr$^*$ в газоразрядной плазме на смеси дибромида ртути с гелием

А. Н. Малинин, Л. Л. Шимон

Ужгородский национальный университет

Аннотация: Экспериментально исследовано образование отрицательного иона Br$^-$ в смеси HgBr$_2$–He, использовавшейся в первых работах исследователей в качестве рабочей смеси в активном элементе HgBr-лазера. Обнаружено, что константа скорости образования Br$^-$ составляет (14 – 7)$\cdot10^{-11}$ см$^3$/с при изменении параметра $E/N$ от $2\cdot10^{-17}$ до $4\cdot10^{-16}$ В$\cdot$см$^2$. При сравнении результатов этих исследований с данными, полученными ранее авторами настоящей работы (теоретически), выявлено соотношение между продуктами Br$^-$ и Br,e в процессе возбуждения состояния $B^2\Sigma_{1/2}^+$ молекулы HgBr$^*$ в газоразрядной плазме смеси HgBr$_2$ – He (степень ионизации не более 10$^{-6}$). Определено, что возбуждение электронами молекул HgBr$^*$ с образованием Br$^-$ происходит в основном при низких $E/N$ (менее $3\cdot10^{-17}$ В$\cdot$см$^2$) с увеличением $E/N$ доля Br$_-$ (по сравнению с образованием Br, e) уменьшается и при $E/N=4\cdot10^{-16}$ В$\cdot$см$^2$ составляет $\sim$1%.

PACS: 52.25.Jm, 34.80.Ht, 42.55.Lt

Поступила в редакцию: 01.01.1996


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1996, 26:12, 1047–1050

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024