RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1987, том 14, номер 4, страницы 874–876 (Mi qe8713)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Применение лазеров, другие вопросы квантовой электроники

Фазирование генерации в линейках полосковых GaAlAs/GaAs-лазеров с использованием активных направленных ответвителей

A. E. Базаров, И. С. Голдобин, П. Г. Елисеев, О. А. Кобилжанов, Г. Т. Пак, Т. В. Петракова, Т. Н. Пушкина, А. Т. Семенов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Экспериментально исследованы характеристики излучения линеек полосковых инжекционных лазеров в виде связанных симметричных активных Y-разветвителей. Достигнута мощность излучения 300 мВт в одну сторону в режиме непрерывной генерации. Периодичность лепестков диаграммы направленности соответствовала дифракции от фазированных источников, а наличие пика излучения в направлении нормали к излучающей поверхности указывало на синфазность излучения отдельных источников. В непрерывном одночастотном режиме (с внешним дисперсионным резонатором) получена мощность 72,5 мВт.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.Da, 42.60.Jf, 42.79.Gn

Поступила в редакцию: 07.07.1986


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1987, 17:4, 551–553

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024