RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1979, том 6, номер 2, страницы 357–359 (Mi qe8736)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Краткие сообщения

Параметрическое преобразование излучения ИК диапазона в цинк-германиевом дифосфиде

Н. П. Андреева, С. А. Андреев, И. Н. Матвеев, С. M. Пшеничников, Н. Д. Устинов


Аннотация: Выполнен расчет на ЭВМ основных характеристик параметрического преобразователя ИК диапазона на кристалле ZnGeP2 при накачке его излучением лазера на YAG:Nd3+. Проведен эксперимент по преобразованию излучения CO2-лазера в видимый диапазон на образцах ZnGeP2, обладающих значительным поглощением. Получен коэффициент преобразования 0,05 в режиме модуляции добротности лазера накачки при плотности мощности 3 МВт/см2 и длине кристалла 0,3 см. Исследована стойкость кристалла ZnGeP2 к импульсному излучению неодимового лазера и непрерывному излучению CO2-лазера.

УДК: 621.378.4

PACS: 42.65.Cg

Поступила в редакцию: 25.04.1978


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1979, 9:2, 208–210


© МИАН, 2024