RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1989, том 16, номер 8, страницы 1735–1740 (Mi qe8794)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Оптоэлектроника, волоконная оптика и другие вопросы квантовой электроники

Влияние рэлеевского обратного рассеяния на модовый состав излучения в многомодовых градиентных волноводах с квадратичным профилем показателя преломления

Г. Л. Есаян, С. Г. Кривошлыков

Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: Метод когерентных состояний использован для описания рэлеевского рассеяния в многомодовом градиентном волноводе с квадратичным профилем показателя преломления. Получены явные выражения для коэффициентов возбуждения гаусс-эрмитовых мод обратного рассеяния в двух практически важных случаях: возбуждения волновода протяженным некогерентным источником излучения и селективного возбуждения на входе волновода различных мод. Рассмотрены также коэффициенты связи между прямыми и обратными модами. В двух частных случаях возбуждения волновода (протяженным источником излучения и нулевой модой) получены явные выражения для коэффициентов захвата обратнорассеянного излучения в волновод.

УДК: 681.7.068.4

PACS: 42.81.Qb, 42.81.Dp

Поступила в редакцию: 08.04.1988


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1989, 19:8, 1116–1120

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024