Аннотация:
Показана возможность стационарного охлаждения полупроводников при поглощении лазерного излучения. Определена зависимость установившейся температуры тела от интенсивности света. Оценена минимальная температура, которая может быть получена этим методом. Обсуждаются конкурирующие процессы, мешающие охлаждению.